存储芯片巨头，重大发布

　　8月4日，日经225指数开盘上涨0.38%，报63995.28点；韩国KOSPI指数开盘上涨1.5%，报6351.38点。

　　截至北京时间8:40，日韩股市转跌，日经225指数跌0.84%，韩国KOSPI指数跌1.25%。存储芯片巨头涨跌互现，SK海力士涨1.02%，盘中一度涨超4%；三星电子跌0.21%，盘中一度涨超2%。

　　8月4日，SK海力士全球新闻中心发布消息称，SK海力士联手闪迪共同发布下一代存储技术HBF的首个标准规范。

　　此次发布正值当地时间8月4日至6日在美国加利福尼亚州圣克拉拉会展中心举办的“闪存峰会(Flash Memory Summit)2026”(以下简称“FMS2026”)开幕。公司计划在峰会期间发表主题演讲并参与圆桌论坛，介绍HBF作为破解AI时代内存瓶颈的关键技术。

　　 HBF是介于HBM和固态硬盘之间的新型存储层级，不仅具备与HBM类似的高速数据传输能力，还可基于NAND闪存大幅提升容量。在AI推理普及、数据处理需求激增的背景下，其高带宽与可扩展容量特性优势备受瞩目。

　　此次发布的标准规范，是继SK海力士去年8月与闪迪启动HBF标准化合作，并于今年2月成立联盟后，历时约6个月推出的首项成果。该规范定义了两种容量配置，分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量；并按三个等级(Grade1—3)设定带宽标准，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。

　　 SK海力士表示，公司计划加快HBF在AI存储市场的规模化落地，并加速构建生态体系。目前，HBF联盟已汇聚谷歌与Tenstorrent。未来，公司将继续依托开放合作，不断扩大生态体系，同时提升技术成熟度与市场接受度。

　　 SK海力士称，将在FMS2026设立展台，展示战略合作专区、下一代存储技术及Tech Session等内容。此外，公司将首次公开目前开发进展顺利的第十代(V10)375层4D NAND闪存晶圆和产品。较上一代，其性能功耗比提升2.5倍，特别适用于对性能与能效要求极高的AI基础设施环境，例如数据中心。公司计划于明年初启动基于此NAND闪存的高性能、大容量企业级固态硬盘(eSSD)量产，进一步巩固其在AI时代NAND闪存市场的领先地位。

　　同时，公司还将展示面向移动终端、PC、汽车和机器人等多个领域的系列产品，全面呈现SK海力士引领AI时代的存储器技术优势以及客户合作成果。

　　当地时间8月3日，美股三大指数全线上涨。美股科技股走强，谷歌-C总市值为45553亿美元，超过苹果，仅低于英伟达，成为全球市值亚军。美股存储芯片热门股上涨，美光科技涨0.79%、闪迪大涨超6%。SK海力士跌0.7%。

　　据中证海外资讯报道，德勤称，三星电子、SK海力士和美光科技这三大内存厂商明年的设备投资额预计将达到1460亿美元，是2024年的约3.4倍。这一数额占明年全球半导体设备总投资额2600亿美元的一半以上，显示出内存厂商正在积极扩产。然而，业界普遍认为，即便加快投资，由于工厂建设和设备安装等环节仍需3—5年时间，短期内难以缓解供应短缺。德勤表示，尽管内存厂商大幅扩大设备投资，但在2029年—2030年之前，新增供应仍将十分有限。

　　(文中行情图来自同花顺（300033）封面为AI生成)