曝SK海力士将量产375层NAND 技术突破引关注

曝SK海力士将量产375层NAND 技术突破引关注。SK海力士计划在2026年底实现375层3D NAND闪存量产。目前，该公司已经完成了生产验证，并正在推进清州M15工厂原有产线的改造升级，将原有的176层、238层和321层产品全面切换至375层产线。

最初，该产品的规划是400层，但由于超高堆叠工艺难度较大，调整为375层。企业已规划后续的480层和604层技术路线。此次核心突破在于首次在字线金属栅极中引入钼材料替代传统的钨材料，这可以降低微缩线路电阻，提升信号传输与读写速率，并省去辅助膜铺设，增强存储密度。

尽管钼工艺需要精准控制高温供给，但其优势明显。SK海力士选用了东京电子的炉管模式设备，相较于应用材料的方案，在成本和效率上更具优势。钼的供应方包括空气产品、英特格、默克以及SK特种气体，后者正在与空气产品合作完善交付。

行业预测显示，NAND闪存中的钼用量将快速增长。三星电子去年采购了约4吨钼，今年预计将达10吨，到2027年至2030年，需求量将依次升至25吨、40吨、60吨和80吨。SK海力士则计划自2027年起大规模导入钼材料，初期年用量约为4吨。公司聚焦于高端扩产以提升单位比特盈利，而非盲目扩张产能。